Samsung стремится к созданию 1000-слойной 3D NAND к 2030 году

Компания Samsung объявила о своих амбициозных планах по разработке 1000-слойной 3D NAND памяти к 2030 году. В основе новой технологии будет лежать многоуровневая структура «multi-BV», которая позволит преодолеть ограничения традиционных чипов за счет соединения четырех пластин. Об этом сообщает TechPowerUp.

Ключевым элементом этого процесса станет технология «wafer bonding», которая объединяет кристаллы памяти и периферийные схемы на различных пластинах. Первый этап в достижении данной цели — массовое производство 10-го поколения NAND (V10), которое начнется во второй половине 2025 года и будет включать от 420 до 430 слоев.

Samsung сотрудничает с китайской компанией YMTC, которая предоставит патент на гибридное соединение пластин. В своей работе Samsung также планирует использовать холодное травление молибденом и другие инновационные технологии для достижения более чем 1000 слоев.

Ранее ITinfo сообщало, что в российских магазинах стартовали продажи ноутбука HONOR MagicBook X14.