Анализ кристалла Ryzen 7 9800X3D показал более 90% неактивного кремния

Аналитик Том Вассик провел послойный анализ кристалла процессора Ryzen 7 9800X3D, выявив, что значительную его часть составляет неактивный кремний. В отличие от предыдущих поколений Ryzen X3D, в Ryzen 9000X3D слой 3D V-Cache (кэш-память SRAM) расположен под вычислительным блоком CCD, обеспечивая улучшенный тепловой баланс и более высокие тактовые частоты.

Для реализации этого решения AMD использовала чрезвычайно тонкие слои CCD и 3D V-Cache (менее 10 мкм), что в сумме с межсоединениями (BEOL) составляет всего 40-45 мкм. Однако, общая толщина кристалла достигает 800 мкм.

Вассик подсчитал, что слой SRAM в Ryzen 9000X3D на 50 мкм толще, чем CCD, что указывает на наличие большого количества неактивного кремния, используемого для структурной целостности тонких и хрупких компонентов. Таким образом, до 93% объема кристалла может быть заполнено неактивным кремнием, в основном для поддержки структурной целостности. Между слоями присутствует оксидное покрытие, причем слой между CCD и SRAM тоньше, чем между «фиктивным» кремнием и кристаллами, что способствует лучшему теплоотводу.

Вассик планирует дальнейшее исследование с помощью электронного микроскопа.

В отличие от AMD, Intel пока не планирует выпуск аналога 3D V-Cache. Ожидается, что AMD представит 12-ядерный Ryzen 9 9900X3D и 16-ядерный Ryzen 9 9950X3D на CES 2025.

Ранее ITinfo сообщало, что «Ростелеком» завершил масштабный проект по цифровизации образования в Томской области.