В Курчатовском институте создали магнит для ускорения развития электроники

Специалисты Курчатовского института разработали двумерный магнит, который может улучшить электронику на основе кремния. Магнит состоит из нескольких слоев: алюминия, кремния и атомов гадолиния, которые придают ему магнитные свойства.

Для синтеза материала был разработан уникальный метод, который позволяет контролировать толщину слоев с высокой точностью — до монослоя.

Это дает возможность создавать материалы с различными функциональными характеристиками, просто изменяя толщину слоев.

Новый магнит можно объединить с кремниевой платформой, чтобы создавать новые материалы для наноэлектроники и спинтроники.

Результаты исследования опубликованы в журнале Small и получили поддержку гранта Российского научного фонда.

Ранее ITinfo сообщало, что НГТУ запатентовал систему распознавания русского жестового языка.